電磁加熱器可分為全橋和半橋兩種類型，有不少人說半橋電磁加熱器不比全橋電磁加熱器好，事實(shí)真的如此嗎？普能小編整理了一些資料，什么是半橋電磁加熱器？主要應(yīng)用在哪里？

什么是半橋電磁加熱器？主要應(yīng)用在哪里？

什么是半橋電磁加熱器？主要應(yīng)用在哪里？

同等功率的情況下半橋電磁加熱器確實(shí)沒有全橋的來的穩(wěn)定，但如果電流并非非常大一個(gè)模塊足夠的情況下（在不影響其工作以及壽命）完全可以考慮做成半橋的。

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。IGBT基本結(jié)構(gòu)見圖1中的縱剖面圖及等效電路。

IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件?；膽?yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。

IGBT是一種功率晶體，運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能，使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點(diǎn)。